71V67903S80BQ集成电路（IC）存储器规格书RENESAS中文资料PDF-114ic电子网

71V67903S80BQ集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	71V67903S80BQ
参数属性	71V67903S80BQ 封装/外壳为165-TBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
功能描述	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
文件大小	301.85 Kbytes
页面数量	23 页
生产厂商	Renesas Electronics America
企业简称	RENESAS【瑞萨】
中文名称	瑞萨科技有限公司官网
原厂标识
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2024-6-16 11:06:00

71V67903S80BQ规格书详情

Features

◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations

◆ Supports fast access times:

– 7.5ns up to 117MHz clock frequency

– 8.0ns up to 100MHz clock frequency

– 8.5ns up to 87MHz clock frequency

◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write

enable (BWE), and byte writes (BWx)

◆ 3.3V core power supply

◆ Power down controlled by ZZ input

◆ 3.3V I/O supply (VDDQ)

◆ Packaged in a JEDEC Standard 100-pin thin plastic quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch ball

grid array (fBGA)

◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

◆ Green parts available, see ordering information

71V67903S80BQ属于集成电路（IC） > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的71V67903S80BQ存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

产品编号：
71V67903S80BQ
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR
存储容量：
9Mb（512K x 18）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
165-TBGA
供应商器件封装：
165-CABGA（13x15）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

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