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71V67602S150BGG

Package:119-BGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V67602S150BGG8

Package:119-BGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71V67602S150BG

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

文件:975.48 Kbytes 页数:22 Pages

IDT

IDT71V67602S150BGI

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

文件:975.48 Kbytes 页数:22 Pages

IDT

IDT71V67602S150BQ

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

文件:975.48 Kbytes 页数:22 Pages

IDT

产品属性

  • 产品编号:

    71V67602S150BGG

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR

  • 存储容量:

    9Mb(256K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    119-BGA

  • 供应商器件封装:

    119-PBGA(14x22)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

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更多71V67602S150BGG供应商 更新时间2025-10-31 8:02:00