71V65603S150BGGI8说明书PDF资料库存现货-114ic电子网

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71V65603S150BGGI8	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs ZBT™ Feature 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 150MHz (3.8ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Single R/W ( 文件：313.82 Kbytes 页数：27 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V65603S150BGGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：119-BGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多71V65603S150BGGI8供应商更新时间2026-10-21 8:23:00