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71V632S7PFG8	文件：268.92 Kbytes Page：19 Pages	64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect Features ◆ 64K x 32 memory configuration ◆ Supports high system speed: Commercial and Industrial: – 5 5ns clock access time (100 MHz) – 6 6ns clock access time (83 MHz) – 7 7ns clock access time (66 MHz) ◆ Single-cycle deselect functionality ◆ LBO input selects interleaved or linear burst 文件：268.92 Kbytes 页数：19 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V632S7PFGI	文件：268.92 Kbytes Page：19 Pages	64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect Features ◆ 64K x 32 memory configuration ◆ Supports high system speed: Commercial and Industrial: – 5 5ns clock access time (100 MHz) – 6 6ns clock access time (83 MHz) – 7 7ns clock access time (66 MHz) ◆ Single-cycle deselect functionality ◆ LBO input selects interleaved or linear burst 文件：268.92 Kbytes 页数：19 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V632S7PFGI8	文件：268.92 Kbytes Page：19 Pages	64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect Features ◆ 64K x 32 memory configuration ◆ Supports high system speed: Commercial and Industrial: – 5 5ns clock access time (100 MHz) – 6 6ns clock access time (83 MHz) – 7 7ns clock access time (66 MHz) ◆ Single-cycle deselect functionality ◆ LBO input selects interleaved or linear burst 文件：268.92 Kbytes 页数：19 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V632S5PF	文件：861.88 Kbytes Page：18 Pages	3.3V Synchronous SRAM Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect 文件：861.88 Kbytes 页数：18 Pages	IDT	IDT
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71V632S7PF	文件：861.88 Kbytes Page：18 Pages	3.3V Synchronous SRAM Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect 文件：861.88 Kbytes 页数：18 Pages	IDT	IDT
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71V632S5PFG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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