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71V546S100PFG	文件：450.11 Kbytes Page：22 Pages	128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT™ Feature Burst Counter and Pipelined Outputs Features ◆ 128K x 36 memory configuration, pipelined outputs ◆ Supports high performance system speed - 133 MHz (4.2 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized registered outputs eliminate the need to control OE ◆ Singl 文件：450.11 Kbytes 页数：22 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V546S100PFG8	文件：450.11 Kbytes Page：22 Pages	128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT™ Feature Burst Counter and Pipelined Outputs Features ◆ 128K x 36 memory configuration, pipelined outputs ◆ Supports high performance system speed - 133 MHz (4.2 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized registered outputs eliminate the need to control OE ◆ Singl 文件：450.11 Kbytes 页数：22 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V546S100PFGI	文件：450.11 Kbytes Page：22 Pages	128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT™ Feature Burst Counter and Pipelined Outputs Features ◆ 128K x 36 memory configuration, pipelined outputs ◆ Supports high performance system speed - 133 MHz (4.2 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized registered outputs eliminate the need to control OE ◆ Singl 文件：450.11 Kbytes 页数：22 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V546S100PFGI8	文件：450.11 Kbytes Page：22 Pages	128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT™ Feature Burst Counter and Pipelined Outputs Features ◆ 128K x 36 memory configuration, pipelined outputs ◆ Supports high performance system speed - 133 MHz (4.2 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized registered outputs eliminate the need to control OE ◆ Singl 文件：450.11 Kbytes 页数：22 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V546S100PFG	文件：164.82 Kbytes Page：21 Pages	3.3V Synchronous SRAM 文件：164.82 Kbytes 页数：21 Pages	IDT	IDT
71V546S100PFG	文件：228.5 Kbytes Page：21 Pages	Synchronous SRAM with ZBT Feature Burst Counter and Pipelined Outputs 文件：228.5 Kbytes 页数：21 Pages	IDT	IDT
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71V546S100PFGI	文件：164.82 Kbytes Page：21 Pages	3.3V Synchronous SRAM 文件：164.82 Kbytes 页数：21 Pages	IDT	IDT
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产品属性

产品编号：
71V546S100PFG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP（14x20）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

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更多71V546S100PF供应商更新时间2026-2-1 15:01:00

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