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71V424S10YG8集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	71V424S10YG8
参数属性	71V424S10YG8 封装/外壳为36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
功能描述	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (512K x 8-Bit) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
文件大小	189.42 Kbytes
页面数量	11 页
生产厂商	Renesas Electronics America
企业简称	RENESAS【瑞萨】
中文名称	瑞萨科技有限公司官网
原厂标识
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2024-5-31 11:44:00

71V424S10YG8规格书详情

Features

◆ 512K x 8 advanced high-speed CMOS Static RAM

◆ JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise

◆ Equal access and cycle times

— Commercial and Industrial: 10/12/15ns

◆ Single 3.3V power supply

◆ One Chip Select plus one Output Enable pin

◆ Bidirectional data inputs and outputs directly

TTL-compatible

◆ Low power consumption via chip deselect

◆ Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ package and

44-pin, 400 mil TSOP.

◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

71V424S10YG8属于集成电路（IC） > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的71V424S10YG8存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

产品编号：
71V424S10YG8
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
4Mb（512K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
36-SOJ
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

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