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71V424S10YG8中文资料PDF规格书

71V424S10YG8
厂商型号

71V424S10YG8

参数属性

71V424S10YG8 封装/外壳为36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

功能描述

3.3V CMOS Static RAM

文件大小

72.68 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Integrated Device Technology, Inc.
企业简称

IDT集成器

中文名称

深圳市集成器件技术有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-31 18:30:00

71V424S10YG8规格书详情

Description

The IDT71V424 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 512K x 8. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high speed memory needs.

Features

◆512K x 8 advanced high-speed CMOS Static RAM

◆JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise

◆Equal access and cycle times

— Commercial and Industrial: 10/12/15ns

◆Single 3.3V power supply

◆One Chip Select plus one Output Enable pin

◆Bidirectional data inputs and outputs directly TTL-compatible

◆Low power consumption via chip deselect

◆Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ package and 44-pin, 400 mil TSOP.

产品属性

  • 产品编号:

    71V424S10YG8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    4Mb(512K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    10ns

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    36-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

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