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71V424S10PHGI集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
71V424S10PHGI |
| 参数属性 | 71V424S10PHGI 封装/外壳为44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
| 功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (512K x 8-Bit) |
| 封装外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 文件大小 |
189.42 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | RENESAS |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-15 9:25:00 |
| 人工找货 | 71V424S10PHGI价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
71V424S10PHGI规格书详情
特性 Features
◆ 512K x 8 advanced high-speed CMOS Static RAM
◆ JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise
◆ Equal access and cycle times
— Commercial and Industrial: 10/12/15ns
◆ Single 3.3V power supply
◆ One Chip Select plus one Output Enable pin
◆ Bidirectional data inputs and outputs directly
TTL-compatible
◆ Low power consumption via chip deselect
◆ Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ package and
44-pin, 400 mil TSOP.
◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
产品属性
- 产品编号：
71V424S10PHGI
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
4Mb（512K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
10ns
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
- 供应商器件封装：
44-TSOP II
- 描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
2025+ |
TSOP |
770 |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
询价 | ||
Renesas |
25+ |
25000 |
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IDT |
17+ |
36SOJ |
9 |
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IDT, Integrated Device Technol |
24+ |
44-TSOP II |
56200 |
一级代理/放心采购 |
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IDT |
1913 |
8 |
优势货源原装正品 |
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IDT |
原厂封装 |
9800 |
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询价 | |||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
2021+ |
TSOPII-44 |
499 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
2022+原装正品 |
TSOPII-44 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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IDT |
24+ |
原厂封装 |
2000 |
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