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71V35761S200BGGI8

包装:托盘 封装/外壳:119-BGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

IDT71V35761S200BGGI8

3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    71V35761S200BGGI8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR

  • 存储容量:

    4.5Mb(128K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    119-BGA

  • 供应商器件封装:

    119-PBGA(14x22)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

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更多71V35761S200BGGI8供应商 更新时间2024-6-12 13:02:00