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71V3578S150PFG	文件：288.51 Kbytes Page：19 Pages	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V3578S150PFG	文件：220.08 Kbytes Page：18 Pages	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71V3578S150PFG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71V3578S150PFG8	文件：288.51 Kbytes Page：19 Pages	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V3578S150PFGI	文件：288.51 Kbytes Page：19 Pages	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V3578S150PFGI8	文件：288.51 Kbytes Page：19 Pages	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V3578S150PFG8	文件：220.08 Kbytes Page：18 Pages	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71V3578S150PFGI	文件：220.08 Kbytes Page：18 Pages	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71V3578S150PFGI8	文件：220.08 Kbytes Page：18 Pages	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71V3578S150PFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
71V3578S150PFG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR
存储容量：
4.5Mb（256K x 18）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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