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71V3559S85BQI

Package:165-TBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71V3559S85BG

128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs

Description The IDT71V3557/59 are 3.3V high-speed 4,718,592-bit (4.5 Mega-bit) synchronous SRAMs organized as 128K x 36/256K x 18. They are designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus they have been given the name ZBTTM, or

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IDT

IDT71V3559S85BGG

Synchronous ZBT SRAMs

文件:298.78 Kbytes 页数:28 Pages

IDT

IDT71V3559S85BGGI

Synchronous ZBT SRAMs

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IDT

产品属性

  • 产品编号:

    71V3559S85BQI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR(ZBT)

  • 存储容量:

    4.5Mb(256K x 18)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-TBGA

  • 供应商器件封装:

    165-CABGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA

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更多71V3559S85BQI供应商 更新时间2025-11-4 8:25:00