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71V321L35PFGI	文件：431.74 Kbytes Page：16 Pages	HIGH SPEED 3.3V 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS Features ◆ High-speed access – Commercial & Industrial: 25/35ns (max.) ◆ Low-power operation – IDT71V321L — Active: 325mW (typ.) — Standby: 1mW (typ.) ◆ Two INT flags for port-to-port communications ◆ On-chip port arbitration logic (IDT71V321 only) ◆ BUSY output flag ◆ Fully asynchronous 文件：431.74 Kbytes 页数：16 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V321L35PFGI	文件：124.53 Kbytes Page：15 Pages	HIGH SPEED 3.3V 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS 文件：124.53 Kbytes 页数：15 Pages	IDT	IDT
71V321L35PFGI	文件：142.97 Kbytes Page：15 Pages	HIGH SPEED 3.3V 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS 文件：142.97 Kbytes 页数：15 Pages	IDT	IDT
71V321L35PFGI8	文件：431.74 Kbytes Page：16 Pages	HIGH SPEED 3.3V 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS Features ◆ High-speed access – Commercial & Industrial: 25/35ns (max.) ◆ Low-power operation – IDT71V321L — Active: 325mW (typ.) — Standby: 1mW (typ.) ◆ Two INT flags for port-to-port communications ◆ On-chip port arbitration logic (IDT71V321 only) ◆ BUSY output flag ◆ Fully asynchronous 文件：431.74 Kbytes 页数：16 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V321L35PFGI8	文件：142.97 Kbytes Page：15 Pages	HIGH SPEED 3.3V 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS 文件：142.97 Kbytes 页数：15 Pages	IDT	IDT
71V321L35PFGI8	文件：124.53 Kbytes Page：15 Pages	HIGH SPEED 3.3V 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS 文件：124.53 Kbytes 页数：15 Pages	IDT	IDT
71V321L35PFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：64-LQFP；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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产品属性

产品编号：
71V321L35PFGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
16Kb（2K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
35ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
64-LQFP
供应商器件封装：
64-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP

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更多71V321L35PFGI供应商更新时间2025-10-11 15:01:00

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