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71V25761S200PFGI集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
71V25761S200PFGI |
参数属性 | 71V25761S200PFGI 封装/外壳为100-LQFP;包装为托盘;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
功能描述 | 128K X 36 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
文件大小 |
278.36 Kbytes |
页面数量 |
18 页 |
生产厂商 | Renesas Electronics America |
企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-17 15:03:00 |
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Features
◆ 128K x 36 memory configuration
◆ Supports high system speed:
Commercial and Industrial:
– 200MHz 3.1ns clock access time
– 183MHz 3.3ns clock access time
– 166MHz 3.5ns clock access time
◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode
◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write
enable (BWE), and byte writes (BWx)
71V25761S200PFGI属于集成电路(IC) > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的71V25761S200PFGI存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号:
71V25761S200PFGI
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 同步,SDR
- 存储容量:
4.5Mb(128K x 36)
- 存储器接口:
并联
- 电压 - 供电:
3.135V ~ 3.465V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
100-LQFP
- 供应商器件封装:
100-TQFP(14x14)
- 描述:
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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