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71V2556S100PFG	文件：298.88 Kbytes Page：25 Pages	128K x 36 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆ 128K x 36 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (3.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Single R/W (READ/WRI 文件：298.88 Kbytes 页数：25 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V2556S100PFG	文件：293.35 Kbytes Page：25 Pages	3.3V Synchronous ZBT SRAMs 文件：293.35 Kbytes 页数：25 Pages	IDT	IDT
71V2556S100PFG8	文件：298.88 Kbytes Page：25 Pages	128K x 36 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆ 128K x 36 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (3.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Single R/W (READ/WRI 文件：298.88 Kbytes 页数：25 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V2556S100PFGI	文件：298.88 Kbytes Page：25 Pages	128K x 36 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆ 128K x 36 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (3.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Single R/W (READ/WRI 文件：298.88 Kbytes 页数：25 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V2556S100PFGI8	文件：298.88 Kbytes Page：25 Pages	128K x 36 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆ 128K x 36 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (3.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Single R/W (READ/WRI 文件：298.88 Kbytes 页数：25 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V2556S100PFG8	文件：293.35 Kbytes Page：25 Pages	3.3V Synchronous ZBT SRAMs 文件：293.35 Kbytes 页数：25 Pages	IDT	IDT
71V2556S100PFGI	文件：293.35 Kbytes Page：25 Pages	3.3V Synchronous ZBT SRAMs 文件：293.35 Kbytes 页数：25 Pages	IDT	IDT
71V2556S100PFGI8	文件：293.35 Kbytes Page：25 Pages	3.3V Synchronous ZBT SRAMs 文件：293.35 Kbytes 页数：25 Pages	IDT	IDT
71V2556S100PFG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71V2556S100PFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
71V2556S100PFG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

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更多71V2556S100PFG供应商更新时间2025-12-22 15:01:00

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