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71V2546S150BG	文件：279.06 Kbytes Page：22 Pages	128K x 36 3.3V Synchronous ZBT™ SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRI	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V2546S150BG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：119-BGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V2546S150BG8	文件：279.06 Kbytes Page：22 Pages	128K x 36 3.3V Synchronous ZBT™ SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRI	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V2546S150BGG	文件：733.03 Kbytes Page：21 Pages	3.3V Synchronous ZBT SRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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71V2546S150BGGI	文件：733.03 Kbytes Page：21 Pages	3.3V Synchronous ZBT SRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71V2546S150BGGI8	文件：733.03 Kbytes Page：21 Pages	3.3V Synchronous ZBT SRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71V2546S150BG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：119-BGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V2546S150PFG	文件：733.03 Kbytes Page：21 Pages	3.3VSynchronousZBTSRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71V2546S150PFG	文件：279.06 Kbytes Page：22 Pages	128Kx363.3VSynchronousZBT™SRAM2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRI	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V2546S150PFGI	文件：733.03 Kbytes Page：21 Pages	3.3VSynchronousZBTSRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V2546S150BG	文件：1.00488 Mbytes Page：28 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V2546S150BGI	文件：1.00488 Mbytes Page：28 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V2546S150BQ	文件：1.00488 Mbytes Page：28 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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IDT71V2546S150PFI	文件：1.00488 Mbytes Page：28 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

产品属性

产品编号：
71V2546S150BG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
119-BGA
供应商器件封装：
119-PBGA（14x22）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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