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71V124SA10TYG	文件：192.06 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout Features ◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 10/12/15ns – Industrial: 10/12/15ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Inputs and outputs are LVTTL-compatible 文件：192.06 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V124SA10TYG8	文件：192.06 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout Features ◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 10/12/15ns – Industrial: 10/12/15ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Inputs and outputs are LVTTL-compatible 文件：192.06 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V124SA10TYG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71V124SA10TYG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
71V124SA10TYG8
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
供应商器件封装：
32-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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