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71V016SA20YG

3.3V CMOS Static RAM

文件:116.03 Kbytes 页数:9 Pages

IDT

71V016SA20YG8

3.3V CMOS Static RAM

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IDT

71V016SA20YGI

3.3V CMOS Static RAM

文件:116.03 Kbytes 页数:9 Pages

IDT

71V016SA20YGI8

3.3V CMOS Static RAM

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IDT

71V016SA20YG8

Package:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V016SA20YGI

Package:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

Renesas Electronics America Inc

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71V016SA20YGI8

Package:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

Renesas Electronics America Inc

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产品属性

  • 产品编号:

    71V016SA20YG8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    20ns

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    44-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
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更多71V016SA20Y供应商 更新时间2025-11-25 15:01:00