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71V016SA12PHG	文件：210.22 Kbytes Page：11 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Features ◆ 64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM ◆ Equal access and cycle times — Commercial: 10/12/15/20ns — Industrial: 10/12/15/20ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional data inputs and outputs directly LVTTL-compatible ◆ Low power consumption via chip des 文件：210.22 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V016SA12PHG8	文件：210.22 Kbytes Page：11 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Features ◆ 64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM ◆ Equal access and cycle times — Commercial: 10/12/15/20ns — Industrial: 10/12/15/20ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional data inputs and outputs directly LVTTL-compatible ◆ Low power consumption via chip des 文件：210.22 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V016SA12PHGI	文件：210.22 Kbytes Page：11 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Features ◆ 64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM ◆ Equal access and cycle times — Commercial: 10/12/15/20ns — Industrial: 10/12/15/20ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional data inputs and outputs directly LVTTL-compatible ◆ Low power consumption via chip des 文件：210.22 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V016SA12PHGI8	文件：210.22 Kbytes Page：11 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Features ◆ 64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM ◆ Equal access and cycle times — Commercial: 10/12/15/20ns — Industrial: 10/12/15/20ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional data inputs and outputs directly LVTTL-compatible ◆ Low power consumption via chip des 文件：210.22 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V016SA12PHG	文件：116.03 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 文件：116.03 Kbytes 页数：9 Pages	IDT	IDT
71V016SA12PHG8	文件：116.03 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 文件：116.03 Kbytes 页数：9 Pages	IDT	IDT
71V016SA12PHGI	文件：116.03 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 文件：116.03 Kbytes 页数：9 Pages	IDT	IDT
71V016SA12PHGI8	文件：116.03 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 文件：116.03 Kbytes 页数：9 Pages	IDT	IDT
71V016SA12PHG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71V016SA12PHGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
71V016SA12PHG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（64K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
12ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP II
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海市鑫鸿达电子	71V016SA12PHG	Integrated Device Technology (	2022+		1	全新原装货期两周	询价
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更多71V016SA12PH供应商更新时间2025-12-26 9:50:00

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