71T75602S166BGGI8说明书PDF资料库存现货-114ic电子网

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71T75602S166BGGI8	文件：348.97 Kbytes Page：28 Pages	512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆ 512K x 36, 1M x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 200 MHz (3.2 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Single R/W 文件：348.97 Kbytes 页数：28 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71T75602S166BGGI8	文件：260.17 Kbytes Page：26 Pages	2.5V Synchronous ZBT SRAMs I/O, Burst Counter Pipelined Outputs 文件：260.17 Kbytes 页数：26 Pages	IDT	IDT
71T75602S166BGGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：119-BGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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更多71T75602S166BGGI8供应商更新时间2025-10-30 15:41:00