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IDT71T016SA15BF	文件：109.47 Kbytes Page：9 Pages	2.5VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71T016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71T016SA15BFI	文件：109.47 Kbytes Page：9 Pages	2.5VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71T016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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IDT71T016SA15PHI	文件：109.47 Kbytes Page：9 Pages	2.5VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71T016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71T016SA15Y	文件：109.47 Kbytes Page：9 Pages	2.5VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71T016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71T016SA15YI	文件：109.47 Kbytes Page：9 Pages	2.5VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71T016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

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