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71256SA20TPGI	文件：191.21 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit) Features ◆32Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C) temperatureoptions ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12ns –CommercialandIndustrial:15/20/25ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司
71256SA20TPGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71256SA20YG	文件：191.21 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM256K(32Kx8-Bit) Features ◆32Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C) temperatureoptions ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12ns –CommercialandIndustrial:15/20/25ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司
71256SA20YGI	文件：191.21 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM256K(32Kx8-Bit) Features ◆32Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C) temperatureoptions ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12ns –CommercialandIndustrial:15/20/25ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司
IDT71256SA20PZ	文件：61.12 Kbytes Page：8 Pages	CMOSSTATICRAM256K(32Kx8-BIT) Description TheIDT71256SAisa262,144-bithigh-speedStaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwith innovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDT Integrated Device Technology, Inc.

产品属性

产品编号：
71256SA20TPGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
20ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
28-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
28-PDIP
描述：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP

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