71124中文资料5.0V 128K x 8 Asynchronous Static RAM Center Pwr & Gnd Pinout数据手册Renesas规格书
| 厂商型号 |
71124 |
| 参数属性 | 71124 封装/外壳为32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
| 功能描述 | 5.0V 128K x 8 Asynchronous Static RAM Center Pwr & Gnd Pinout |
| 封装外壳 | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） |
| 制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
| 中文名称 | 瑞萨 瑞萨科技有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 11:26:00 |
| 人工找货 | 71124价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
71124规格书详情
描述 Description
The 71124 5V CMOS SRAM is organized as 128K x 8. The JEDEC centerpower/GND pinout reduces noise generation and improves system performance. All bidirectional inputs and outputs of the 71124 are TTL-compatible and operation is from a single 5V supply. Fully static asynchronous circuitry is used; no clocks or refreshes are required for operation.
特性 Features
JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) forreduced noise.
Equal access and cycle times– Commercial and Industrial: 12/15/20ns
One Chip Select plus one Output Enable pin
Bidirectional inputs and outputs directly TTL-compatible
Low power consumption via chip deselect
Available in a 32-pin 400 mil Plastic SOJ packages
技术参数
- 制造商编号
：71124
- 生产厂家
：Renesas
- Density (Kb)
：1024
- Bus Width (bits)
：8
- Core Voltage (V)
：5
- Pkg. Type
：SOJ
- Organization
：128K x 8
- I/O Voltage (V)
：5
- Access Time (ns)
：12
- Temp. Range
：-40 to 85°C
- Architecture
：Asynchronous
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
23+ |
DIP |
80000 |
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IDT |
24+ |
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23+ |
SOJ |
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24+ |
N/A |
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IDT |
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SOJ32 |
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Renesas |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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SOJ-32 |
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IDT |
23+ |
SOJ32 |
50000 |
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IDT |
24+ |
SOJ |
100 |
询价 | |||
Renesas |
25+ |
电联咨询 |
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公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 |
