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71024S12TYGI | CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆ | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
71024S12TYGI | 包装：卷带（TR） 封装/外壳：32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆ | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | ||
包装：卷带（TR） 封装/外壳：32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | ||
CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit) Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆ | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | ||
CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit) Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆ | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | ||
CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit) Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆ | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | ||
CMOSSTATICRAM1MEG(128Kx8-BIT) DESCRIPTION: TheIDT71024isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shighperformance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstateof-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 |  | ||
CMOSSTATICRAM1MEG(128Kx8-BIT) DESCRIPTION: TheIDT71024isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shighperformance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstateof-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | |
产品属性
- 产品编号：
71024S12TYGI
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
1Mb（128K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
12ns
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
- 供应商器件封装：
32-SOJ
- 描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨) |
23+ |
32-SOJ (21.95L X 7.60W X 1.270 |
230 |
全新、原装 |
询价 | ||
IDT |
RoHSCompliant |
Tube |
162 |
neworiginal |
询价 | ||
IDT |
2018+ |
26976 |
代理原装现货/特价热卖! |
询价 | |||
IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
32-SOJ |
56200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
IDT |
1931+ |
N/A |
1186 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
IDT |
20+ |
32-SOP |
345 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
IDT |
22+ |
NA |
1186 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
IDT, Integrated Device Techno |
2022+ |
32-SOJ |
7300 |
原装现货 |
询价 | ||
Integrated Device Technology |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IDT-集成器 |
24+25+/26+27+ |
SOP-32 |
9328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 |
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