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71024S20TYGI	文件：312.13 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71024S20TYGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71024S20TYGI8	文件：312.13 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71024S20TYGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71024S20YG	文件：312.13 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit) Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71024S20YGI	文件：312.13 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit) Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT71024S20LB	文件：68.84 Kbytes Page：8 Pages	CMOSSTATICRAM1MEG(128Kx8-BIT) DESCRIPTION: TheIDT71024isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shighperformance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstateof-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71024S20TY	文件：68.84 Kbytes Page：8 Pages	CMOSSTATICRAM1MEG(128Kx8-BIT) DESCRIPTION: TheIDT71024isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shighperformance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstateof-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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IDT71024S20YG	文件：254.17 Kbytes Page：8 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit) Description TheIDT71024isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.Itisfabricatedusinghigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-spe	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

产品属性

产品编号：
71024S20TYGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
20ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
供应商器件封装：
32-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

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