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70V9279L7PRFGI	文件：473 Kbytes Page：20 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 32/16K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Features: ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:7.5/9ns(max.) –Industrial:7.5ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V9279/69L Active:429mW(typ.) Standby:1.32mW(typ.) ◆Flow-throug	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V9279L7PRFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：128-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 512KBIT PARALLEL 128TQFP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V9279L7PRFGI8	文件：473 Kbytes Page：20 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 32/16K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Features: ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:7.5/9ns(max.) –Industrial:7.5ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V9279/69L Active:429mW(typ.) Standby:1.32mW(typ.) ◆Flow-throug	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V9279L7PRFGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：128-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 512KBIT PARALLEL 128TQFP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V9279L7	文件：473 Kbytes Page：20 Pages	HIGH-SPEED3.3V32/16Kx16SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features: ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:7.5/9ns(max.) –Industrial:7.5ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V9279/69L Active:429mW(typ.) Standby:1.32mW(typ.) ◆Flow-throug	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V9279L7PRFG	文件：473 Kbytes Page：20 Pages	HIGH-SPEED3.3V32/16Kx16SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features: ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:7.5/9ns(max.) –Industrial:7.5ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V9279/69L Active:429mW(typ.) Standby:1.32mW(typ.) ◆Flow-throug	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT70V9279L7PRF	文件：337.78 Kbytes Page：19 Pages	HIGH-SPEED3.3V32Kx16SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT70V9279L7PRFI	文件：337.78 Kbytes Page：19 Pages	HIGH-SPEED3.3V32Kx16SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

产品属性

产品编号：
70V9279L7PRFGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，同步
存储容量：
512Kb（32K x 16）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
128-LQFP
供应商器件封装：
128-TQFP（14x20）
描述：
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 128TQFP

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