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70V659S12BFI集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
70V659S12BFI |
| 参数属性 | 70V659S12BFI 封装/外壳为208-LFBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA |
| 功能描述 | HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| 封装外壳 | 208-LFBGA |
| 文件大小 |
321.08 Kbytes |
| 页面数量 |
26 页 |
| 生产厂商 | RENESAS |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 12:13:00 |
| 人工找货 | 70V659S12BFI价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
70V659S12BFI规格书详情
特性 Features
◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆ High-speed access
– Commercial: 10/12/15ns (max.)
– Industrial: 12ns (max.)
◆ Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
◆ IDT70V659/58/57 easily expands data bus width to 72 bits
or more using the Master/Slave select when cascading
more than one device
◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master,
M/S = VIL for BUSY input on Slave
◆ Busy and Interrupt Flags
◆ On-chip port arbitration logic
产品属性
- 产品编号：
70V659S12BFI
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 双端口，异步
- 存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
12ns
- 电压 - 供电：
3.15V ~ 3.45V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
208-LFBGA
- 供应商器件封装：
208-CABGA（15x15）
- 描述：
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
2021+ |
CABGA-208(15x15) |
499 |
询价 | |||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
2447 |
CABGA-208(15x15) |
315000 |
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询价 | ||
Renesas |
25+ |
25000 |
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Renesas |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
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询价 | ||
IDT |
25+ |
SOP |
3200 |
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询价 | ||
IDT |
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N/A |
1186 |
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询价 | ||
IDT |
22+ |
NA |
1186 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
IDT, Integrated Device Technol |
24+ |
208-CABGA(15x15) |
56200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
Renesas Electronics America In |
25+ |
208-LFBGA |
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询价 | ||
Integrated Device Technology |
2022+ |
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