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70V659S12BFGI8集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

| 厂商型号 | 70V659S12BFGI8 | 
| 参数属性 | 70V659S12BFGI8 封装/外壳为208-LFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 4.5MBIT PAR 208FPBGA | 
| 功能描述 | HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM | 
| 封装外壳 | 208-LFBGA | 
| 文件大小 | 321.08 Kbytes | 
| 页面数量 | 26 页 | 
| 生产厂商 | RENESAS | 
| 中文名称 | 瑞萨 | 
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 23:00:00 | 
| 人工找货 | 70V659S12BFGI8价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 | 
70V659S12BFGI8规格书详情
特性 Features
◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆ High-speed access
– Commercial: 10/12/15ns (max.)
– Industrial: 12ns (max.)
◆ Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
◆ IDT70V659/58/57 easily expands data bus width to 72 bits
or more using the Master/Slave select when cascading
more than one device
◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master,
M/S = VIL for BUSY input on Slave
◆ Busy and Interrupt Flags
◆ On-chip port arbitration logic
产品属性
- 产品编号:70V659S12BFGI8 
- 制造商:Renesas Electronics America Inc 
- 类别:集成电路(IC) > 存储器 
- 包装:托盘 
- 存储器类型:易失 
- 存储器格式:SRAM 
- 技术:SRAM - 双端口,异步 
- 存储容量:4.5Mb(128K x 36) 
- 存储器接口:并联 
- 写周期时间 - 字,页:12ns 
- 电压 - 供电:3.15V ~ 3.45V 
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 
- 安装类型:表面贴装型 
- 封装/外壳:208-LFBGA 
- 供应商器件封装:208-CABGA(15x15) 
- 描述:IC SRAM 4.5MBIT PAR 208FPBGA 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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