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70V659S10BFG	文件：321.08 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V659S10BFGI	文件：234.54 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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70V659S10DRG	文件：200.22 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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IDT70V659S10BC	文件：316.76 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Description TheIDT70V659/58/57isahigh-speed128/64/32Kx36AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70V659/58/57isdesignedtobeusedasastand-alone4/2/1MbitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor72-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTERSLAVEDual-Por	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT70V659S10BC	文件：194.05 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V128Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Description TheIDT70V659/58/57isahigh-speed128/64/32Kx36AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70V659/58/57isdesignedtobeusedasastand-alone4/2/1MbitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor72-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTERSLAVEDual-Por	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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IDT70V659S10BCI	文件：316.76 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Description TheIDT70V659/58/57isahigh-speed128/64/32Kx36AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70V659/58/57isdesignedtobeusedasastand-alone4/2/1MbitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor72-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTERSLAVEDual-Por	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

产品属性

产品编号：
70V659S10BCG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.45V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
256-LBGA
供应商器件封装：
256-CABGA（17x17）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA

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