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70V659S10BF8	文件：321.08 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V659S10BF8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：208-LFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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70V659S10BF8

文件：321.08 Kbytes

Page：26 Pages

HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

70V659S10BF8

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：托盘封装/外壳：208-LFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

产品属性

产品编号：
70V659S10BF8
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.45V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
208-LFBGA
供应商器件封装：
208-CABGA（15x15）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA

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