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70V3399S133BC8

HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features: ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed data access – Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.) – Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.) ◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode – Due to limited pin count P

文件:544.14 Kbytes 页数:24 Pages

RENESAS

瑞萨

70V3399S133BC8

Package:256-LBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

70V3599S133BFI8

RENESAS(瑞萨)/IDT
CABGA-208(15x15)

RENESAS(瑞萨)/IDT

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

RENESAS(瑞萨)/IDT

70V35L20PFGI

RENESAS(瑞萨)/IDT
TQFP-100(14x14)

RENESAS(瑞萨)/IDT

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

RENESAS(瑞萨)/IDT

70V37L20PFGI8

RENESAS(瑞萨)/IDT
TQFP-100(14x14)

RENESAS(瑞萨)/IDT

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

RENESAS(瑞萨)/IDT

产品属性

  • 产品编号:

    70V3399S133BC8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 双端口,同步

  • 存储容量:

    2Mb(128K x 18)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.15V ~ 3.45V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    256-LBGA

  • 供应商器件封装:

    256-CABGA(17x17)

  • 描述:

    IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IDT, Integrated Device Technol
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更多70V3399S133BC8供应商 更新时间2025-10-12 13:02:00