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70V26L55G	文件：517.75 Kbytes Page：19 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous readsofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35/55ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V26S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V26L Active:300mW(typ.) Standby:660μW(typ.) ◆	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V26L55G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：84-BPGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PGA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V26L55GG	文件：175.66 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V26L55GG8	文件：175.66 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V26L55GGI	文件：175.66 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V26L55GGI8	文件：175.66 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V26L55JG	文件：175.66 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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IDT70V26L55GI	文件：144.86 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70V26L55J	文件：144.86 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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产品属性

产品编号：
70V26L55G
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
256Kb（16K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
55ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
84-BPGA
供应商器件封装：
84-PGA（27.94x27.94）
描述：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PGA

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更多70V26L55G供应商更新时间2024-6-19 15:50:00

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