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70V26L25J	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：84-LCC（J 形引线）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
70V26L25JG	文件：517.75 Kbytes Page：19 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous readsofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35/55ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V26S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V26L Active:300mW(typ.) Standby:660μW(typ.) ◆	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V26L25JG8	文件：517.75 Kbytes Page：19 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous readsofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35/55ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V26S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V26L Active:300mW(typ.) Standby:660μW(typ.) ◆	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V26L25JG	文件：175.66 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V26L25JG8	文件：175.66 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V26L25JGI	文件：175.66 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V26L25JGI8	文件：175.66 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V26L25JI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：84-LCC（J 形引线）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
70V26L25JI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：84-LCC（J 形引线）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
70V26L25J
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
256Kb（16K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
84-LCC（J 形引线）
供应商器件封装：
84-PLCC（29.31x29.31）
描述：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多70V26L25J供应商更新时间2025-7-26 15:49:00

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