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70V09L20PFGI	文件：460.6 Kbytes Page：19 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed access – Commercial: 15ns (max.) – Industrial: 20ns (max.) ◆ Low-power operation – IDT70V09L Active: 440mW (typ.) Standby: 660μW (typ.) ◆ Dual chip enables allow for depth ex 文件：460.6 Kbytes 页数：19 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
70V09L20PFGI	文件：152.82 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM 文件：152.82 Kbytes 页数：17 Pages	IDT	IDT
70V09L20PFGI	文件：171.51 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM 文件：171.51 Kbytes 页数：17 Pages	IDT	IDT
70V09L20PFGI8	文件：460.6 Kbytes Page：19 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed access – Commercial: 15ns (max.) – Industrial: 20ns (max.) ◆ Low-power operation – IDT70V09L Active: 440mW (typ.) Standby: 660μW (typ.) ◆ Dual chip enables allow for depth ex 文件：460.6 Kbytes 页数：19 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
70V09L20PFGI8	文件：171.51 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM 文件：171.51 Kbytes 页数：17 Pages	IDT	IDT
70V09L20PFGI8	文件：152.82 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM 文件：152.82 Kbytes 页数：17 Pages	IDT	IDT
70V09L20PFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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产品属性

产品编号：
70V09L20PFGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
20ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP

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