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70V07L55G	文件：526.69 Kbytes Page：20 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed access – Commercial: 25/35/55ns (max.) – Industrial: 35ns (max.) ◆ Low-power operation – IDT70V07S Active: 300mW (typ.) Standby: 3.3mW (typ.) – IDT70V07L Active: 300mW (typ. 文件：526.69 Kbytes 页数：20 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
70V07L55GG	文件：163.01 Kbytes Page：19 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM 文件：163.01 Kbytes 页数：19 Pages	IDT	IDT
70V07L55GG	文件：182.12 Kbytes Page：19 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM 文件：182.12 Kbytes 页数：19 Pages	IDT	IDT
70V07L55GG8	文件：182.12 Kbytes Page：19 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM 文件：182.12 Kbytes 页数：19 Pages	IDT	IDT
70V07L55GG8	文件：163.01 Kbytes Page：19 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM 文件：163.01 Kbytes 页数：19 Pages	IDT	IDT
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70V07L55G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：68-BPGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 68PGA	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
70V07L55G
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
55ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
68-BPGA
供应商器件封装：
68-PGA（29.46x29.46）
描述：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 68PGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多70V07L55G供应商更新时间2026-1-30 10:03:00

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