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70V06L20JGI8集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
70V06L20JGI8 |
参数属性 | 70V06L20JGI8 封装/外壳为68-LCC(J 形引线);包装为托盘;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 128KBIT PARALLEL 68PLCC |
功能描述 | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
文件大小 |
305.05 Kbytes |
页面数量 |
24 页 |
生产厂商 | Renesas Technology Corp |
企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-24 11:15:00 |
70V06L20JGI8规格书详情
Features
◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
◆ High-speed access
– Commercial: 15ns (max.)
– Industrial: 20ns (max.)
◆ Low-power operation
– IDT70V06L
Active: 380mW (typ.)
Standby: 660μW (typ.)
◆ IDT70V06 easily expands data bus width to 16 bits or more
using the Master/Slave select when cascading more than
one device
◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master
M/S = VIL for BUSY input on Slave
◆ Interrupt Flag
◆ On-chip port arbitration logic
◆ Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
◆ Fully asynchronous operation from either port
◆ Battery backup operation—2V data retention
◆ TTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
◆ Available in a 68-pin PLCC and a 64-pin TQFP
◆ Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available
for selected speeds
◆ Green parts available, see ordering information
70V06L20JGI8属于集成电路(IC) > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的70V06L20JGI8存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
更多- 产品编号:
70V06L20JGI8
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 双端口,异步
- 存储容量:
128Kb(16K x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
20ns
- 电压 - 供电:
3V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
68-LCC(J 形引线)
- 供应商器件封装:
68-PLCC(24.21x24.21)
- 描述:
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 68PLCC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas |
23+ |
68-LCC |
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68-PLCC(24.21x24.21) |
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