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70T651S10BFG8	文件：266.34 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：266.34 Kbytes 页数：28 Pages	IDT	IDT
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70T651S10BF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：208-LFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208FPBGA	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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产品属性

产品编号：
70T651S10BF
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
9Mb（256K x 36）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
2.4V ~ 2.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
208-LFBGA
供应商器件封装：
208-CABGA（15x15）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208FPBGA

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更多70T651S10BF供应商更新时间2026-1-26 15:00:00

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