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70T633S12BC8	文件：513.809 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T633S12BC8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：256-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

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70T633S12BC8

文件：513.809 Kbytes

Page：28 Pages

HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

70T633S12BC8

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：256-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA

Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
70T633S12BC8
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
9Mb（512K x 18）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
12ns
电压 - 供电：
2.4V ~ 2.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
256-LBGA
供应商器件封装：
256-CABGA（17x17）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA

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