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70T631S15BF	文件：513.809 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T631S15BF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：208-LFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T631S15BF8	文件：513.809 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T631S15BFG	文件：437.45 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T631S15BFG	文件：251.71 Kbytes Page：27 Pages	ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T631S15BFG8	文件：437.45 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T631S15BFG8	文件：251.71 Kbytes Page：27 Pages	ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T631S15BFGI	文件：437.45 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T631S15BFGI	文件：251.71 Kbytes Page：27 Pages	ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T631S15BFGI8	文件：437.45 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T631S15BFGI8	文件：251.71 Kbytes Page：27 Pages	ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T631S15BF8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：208-LFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T631S15BC	文件：513.809 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T631S15BCG	文件：437.45 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T631S15BCG	文件：251.71 Kbytes Page：27 Pages	ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T631S15BCGI	文件：251.71 Kbytes Page：27 Pages	ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T631S15BCGI	文件：437.45 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70T631S15BC	文件：342.05 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Description TheIDT70T633/1isahigh-speed512/256Kx18AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70T633/1isdesignedtobeusedasastand-alone9216/4608K-bitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor36-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTER/SLAVEDual-PortRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70T631S15BCI	文件：342.05 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Description TheIDT70T633/1isahigh-speed512/256Kx18AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70T633/1isdesignedtobeusedasastand-alone9216/4608K-bitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor36-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTER/SLAVEDual-PortRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70T631S15BF	文件：342.05 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Description TheIDT70T633/1isahigh-speed512/256Kx18AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70T633/1isdesignedtobeusedasastand-alone9216/4608K-bitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor36-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTER/SLAVEDual-PortRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

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产品属性

产品编号：
70T631S15BF
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
4.5Mb（256K x 18）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
2.4V ~ 2.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
208-LFBGA
供应商器件封装：
208-CABGA（15x15）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创辉电子科技有限公司	70T631S15BF	RENESAS(瑞萨)	23+	208-CABGA (15.00L X 15.00W X 0	70	全新、原装	询价
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更多70T631S15BF供应商更新时间2024-4-30 16:04:00

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