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70T631S10BCI8集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
70T631S10BCI8 |
| 参数属性 | 70T631S10BCI8 封装/外壳为256-LBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
| 功能描述 | HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| 文件大小 |
513.809 Kbytes |
| 页面数量 |
28 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-22 18:30:00 |
70T631S10BCI8规格书详情
Features
◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆ High-speed access
– Commercial: 10/12/15ns (max.)
– Industrial: 10/12ns (max.)
◆ RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write
cycles
◆ Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
◆ IDT70T633/1 easily expands data bus width to 36 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
than one device
◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master,
M/S = VIL for BUSY input on Slave
◆ Busy and Interrupt Flags
On-chip port arbitration logic
70T631S10BCI8属于集成电路（IC） > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的70T631S10BCI8存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
更多- 产品编号：
70T631S10BCI8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 双端口，异步
- 存储容量：
4.5Mb（256K x 18）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
10ns
- 电压 - 供电：
2.4V ~ 2.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
256-LBGA
- 供应商器件封装：
256-CABGA（17x17）
- 描述：
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
CABGA208(15x15) |
6000 |
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询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
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Renesas |
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