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70T3399S200BC集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

70T3399S200BC
厂商型号

70T3399S200BC

参数属性

70T3399S200BC 封装/外壳为256-LBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA

功能描述

HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA

文件大小

628.53 Kbytes

页面数量

28

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-22 16:54:00

70T3399S200BC规格书详情

Features:

◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

◆ High-speed data access

– Commercial: 3.4 (200MHz)/3.6ns (166MHz)/

4.2ns (133MHz)(max.)

– Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.)

◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode

◆ Counter enable and repeat features

◆ Dual chip enables allow for depth expansion without

additional logic

◆ Interrupt and Collision Detection Flags

◆ Full synchronous operation on both ports

– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)

– Fast 3.4ns clock to data out

– Data input, address, byte enable and control registers

70T3399S200BC属于集成电路(IC) > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的70T3399S200BC存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    70T3399S200BC

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 双端口,同步

  • 存储容量:

    2Mb(128K x 18)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    256-LBGA

  • 供应商器件封装:

    256-CABGA(17x17)

  • 描述:

    IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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