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70P265L65BYGI	文件：442.33 Kbytes Page：23 Pages	VERY LOW POWER 1.8V 16K/8K/4K X 16 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous readsofthesamememorylocation ◆Oneportwithdedicatedtime-muliplexedaddress/data (ADM)interface ◆OneportconfigurabletostandardSRAMortime-multiplexed address/datainterface ◆High-speedaccess –Industrial:6	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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70P265L65BYGI

文件：442.33 Kbytes

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VERY LOW POWER 1.8V 16K/8K/4K X 16 DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous readsofthesamememorylocation ◆Oneportwithdedicatedtime-muliplexedaddress/data (ADM)interface ◆OneportconfigurabletostandardSRAMortime-multiplexed address/datainterface ◆High-speedaccess –Industrial:6

RENESASRenesas Electronics America

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70P265L65BYGI

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包装：托盘封装/外壳：100-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PAR 100CABGA

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70P265L65BYGI8

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包装：托盘封装/外壳：100-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PAR 100CABGA

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产品属性

产品编号：
70P265L65BYGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
256Kb（16K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
65ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-TFBGA
供应商器件封装：
100-CABGA（6x6）
描述：
IC SRAM 256KBIT PAR 100CABGA

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