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6N30P9数据手册GOFORD中文资料规格书

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厂商型号

6N30P9

功能描述

Trench Mosfet

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :6N30P9

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Configuration

    :P channel

  • ESD

    :NO

  • VDS(max)

    :-30V

  • Id at 25℃(max)

    :-6.3A

  • PD(max)

    :2.8W

  • Vgs(th)typ(V)

    :-0.95V

  • RDS(on)(typ)(@10V)

    :215mΩ~28mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V)

    :25mΩ~35mΩ

  • Qg(nC)

    :17

  • Ciss

    :746

  • Crss

    :70

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
NA/
6210
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