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6ED003L06F2XUMA1中文资料驱动芯片数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
6ED003L06F2XUMA1 |
| 参数属性 | 6ED003L06F2XUMA1 封装/外壳为28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO28 |
| 功能描述 | 驱动芯片 |
| 封装外壳 | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 18:34:00 |
| 人工找货 | 6ED003L06F2XUMA1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
6ED003L06F2XUMA1规格书详情
简介
6ED003L06F2XUMA1属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由制造生产的6ED003L06F2XUMA1栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 产品编号：
6ED003L06F2XUMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 系列：
EiceDriver™
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
3 相
- 栅极类型：
IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
13V ~ 17.5V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
1.1V，1.7V
- 输入类型：
反相
- 上升/下降时间（典型值）：
60ns，26ns
- 工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
- 供应商器件封装：
PG-DSO-28
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO28
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
2103+ |
DSO28 |
2750 |
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询价 | ||
INFINEON |
23+ |
DSO28 |
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询价 | ||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
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询价 | |||
Infine |
25+ |
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询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
5000 |
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询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
SOIC-28_300mil |
6820 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2023+ |
SOIC-28_300mil |
6000 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
19+ |
68000 |
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询价 |
