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6A80G	文件：425.29 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Rectifier 6A05G Through 6A100G FEATURES High efficiency High current capability High reliability High surge current capability Low power loss Glass passivated chip junction Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 文件：425.29 Kbytes 页数：2 Pages	RFE RFE international	RFE
6A80G	文件：65.16 Kbytes Page：2 Pages	6.0 AMPS. Glass Passivated Rectifiers FEATURES - High efficiency, Low VF - Glass passivated chip junction - High current capability - High reliability - High surge current capability - Low power loss - Green compound with suffix G on packing code & prefix G on datecode 文件：65.16 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
6A80G	文件：321.73 Kbytes Page：2 Pages	CURRENT 6.0 Amperes VOLTAGE 50 to 1000 Volts Features · The plastic package carries Underwrites Laboratory Flammability Classification 94V-0 · High current capability · Low reverse leakage · Glass passivated junction · Low forward voltage drop · High temperature soldering guaranteed : 350℃/10 seconds, 0.375(9.5mm) lea 文件：321.73 Kbytes 页数：2 Pages	DAESAN	DAESAN
6A80G	文件：200 Kbytes Page：4 Pages	Glass Passivated Rectifiers 文件：200 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
6A80G	文件：236.79 Kbytes Page：2 Pages	6.0 AMPS. Glass Passivated Rectifiers 文件：236.79 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
6A80G	文件：521.09 Kbytes Page：2 Pages	6.0 AMPS. Glass Passivated Rectifiers 文件：521.09 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
6A80G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：R-6，轴向；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 800V 6A R-6	Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation
6A80G B0G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：R-6，轴向；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 800V 6A R-6	Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation
6A80GH	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：R-6，轴向；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 800V 6A R-6	Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation

产品属性

产品编号：
6A80G
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
6A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
60pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
R-6，轴向
供应商器件封装：
R-6
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

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更多6A80G供应商更新时间2025-10-8 11:06:00

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