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630AT中文资料200V N Channel PLANAR MOSFET数据手册GOFORD规格书

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厂商型号

630AT

功能描述

200V N Channel PLANAR MOSFET

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 10:31:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :630AT

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Package

    :TO-220

  • Type

    :N

  • ESD Diode

    :NO

  • Vds(V)

    :200

  • Vgs(V)

    :±20

  • Id(A)

    :11

  • Pd(W)

    :83

  • Vgs(th)max(V)

    :3

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V

    :209

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V

    :227

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V

    :250

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V

    :300

  • Qg(nC)

    :12

  • Qgs(nC)

    :2

  • Qgd(nC)

    :4

  • Ciss(pF)

    :503

  • Crss(pF)

    :13

  • Technology

    :PLANAR

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