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61610N5HC	文件：1.03477 Mbytes Page：11 Pages	型号：ISG0616N10NM5HSC；Package：PG-WHITFN-10-1；MOSFET OptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 V Features •SymmetricalHalfBridge •Optimizedforlowvoltagedrivesandbatterypoweredapplications •OptimizedforhighperformanceSMPS •N-channel •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •100%avalanchetested •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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61610N5HC

文件：1.03477 Mbytes

Page：11 Pages

型号：ISG0616N10NM5HSC；Package：PG-WHITFN-10-1；MOSFET OptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 V

Features •SymmetricalHalfBridge •Optimizedforlowvoltagedrivesandbatterypoweredapplications •OptimizedforhighperformanceSMPS •N-channel •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •100%avalanchetested •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halo

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更多61610N5HC供应商更新时间2025-8-5 10:32:00

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