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600S1R6BT250XT电容器的陶瓷电容器规格书PDF中文资料

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厂商型号

600S1R6BT250XT

参数属性

600S1R6BT250XT 封装/外壳为0603(1608 公制);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电容器的陶瓷电容器;600S1R6BT250XT应用范围:射频,微波,高频,旁通,去耦;产品描述:CAP CER 1.6PF 250V C0G/NP0 0603

功能描述

Airfast RF Power GaN Transistor

封装外壳

0603(1608 公制)

文件大小

199.94 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

恩XP

数据手册

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更新时间

2025-11-15 23:00:00

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600S1R6BT250XT规格书详情

This RF power GaN transistor is designed for cellular base station

applications covering the frequency range of 3300 to 4300 MHz.

特性 Features

• High terminal impedances for optimal broadband performance

• Designed for low complexity analog or digital linearization systems

• Universal broadband driver

• Optimized for massive MIMO active antenna systems for 5G base stations

产品属性

  • 产品编号:

    600S1R6BT250XT

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    电容器 > 陶瓷电容器

  • 系列:

    ATC 600S

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 容差:

    ±0.1pF

  • 电压 - 额定:

    250V

  • 温度系数:

    C0G,NP0

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    高 Q 值,低损耗,超低 ESR

  • 应用:

    射频,微波,高频,旁通,去耦

  • 安装类型:

    表面贴装,MLCC

  • 封装/外壳:

    0603(1608 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.063" 长 x 0.032" 宽(1.60mm x 0.81mm)

  • 厚度(最大值):

    0.035"(0.89mm)

  • 描述:

    CAP CER 1.6PF 250V C0G/NP0 0603

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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