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600F5R1BT250XT

RFPowerLDMOSTransistorN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET

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恩智浦恩智浦半导体公司

600F5R1BT250XT

RFPowerGaNTransistor

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AirfastRFPowerLDMOSTransistor

Designedforhandheldtwo−wayradioapplicationswithfrequenciesfrom 136to941MHz.Thehighgain,ruggednessandwidebandperformanceofthis devicemakeitidealforlarge−signal,common−sourceamplifierapplicationsin handheldradioequipment. Features •Characterizedforoperationf

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ATC600F5R1BT250XT

RFPowerLDMOSTransistor

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更多600F5R1BT250T供应商 更新时间2024-5-15 16:07:00