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600F0R6BT250XT

RF Power GaN Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

600F0R6BT250XT

RF Power GaN Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

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600F0R6BT250XT

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

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600F0R6BT250XT

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:0805(2012 公制) 类别:电容器 陶瓷电容器 描述:CAP CER 0.6PF 250V C0G/NP0 0805

American Technical Ceramics

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600F0R6BT250XT

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:0805(2012 公制) 类别:电容器 陶瓷电容器 描述:CAP CER 0.6PF 250V C0G/NP0 0805

American Technical Ceramics

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ATC600F0R6BT250XT

RFPowerGaNTransistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

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产品属性

  • 产品编号:

    600F0R6BT250XT

  • 制造商:

    American Technical Ceramics

  • 类别:

    电容器 > 陶瓷电容器

  • 系列:

    ATC 600F

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 容差:

    ±0.1pF

  • 电压 - 额定:

    250V

  • 温度系数:

    C0G,NP0

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    高 Q 值,低损耗,超低 ESR

  • 应用:

    射频,微波,高频,旁通,去耦

  • 安装类型:

    表面贴装,MLCC

  • 封装/外壳:

    0805(2012 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.079" 长 x 0.049" 宽(2.01mm x 1.24mm)

  • 厚度(最大值):

    0.051"(1.30mm)

  • 描述:

    CAP CER 0.6PF 250V C0G/NP0 0805

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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