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5LN01C-TB-E

N-Channel Small Signal MOSFET

N-ChannelSmallSignalMOSFET 50V,0.1A,7.8Ω,SingleCP Features •LowON-resistance •Ultrahigh-speedswitching •2.5Vdrive

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

5LN01C-TB-E

General-Purpose Switching Device Applications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

5LN01C-TB-EX

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

5LN01C-TB-H

N-ChannelSmallSignalMOSFET

N-ChannelSmallSignalMOSFET 50V,0.1A,7.8Ω,SingleCP Features •LowON-resistance •Ultrahigh-speedswitching •2.5Vdrive

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

5LN01C-TB-H

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

5LN01M

N-ChannelSmallSignalMOSFET

N-ChannelSmallSignalMOSFET 50V,0.1A,7.8Ω,SingleMCP Features •LowON-resistance •Ultrahigh-speedswitching •1.5Vdrive

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

5LN01M

Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications

General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance •Ultrahigh-speedswitching •2.5Vdrive

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

5LN01M

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

5LN01M

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

5LN01M-TL-E

N-ChannelSmallSignalMOSFET

N-ChannelSmallSignalMOSFET 50V,0.1A,7.8Ω,SingleMCP Features •LowON-resistance •Ultrahigh-speedswitching •1.5Vdrive

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

  • 型号:

    5LN01C-TB-E

  • 功能描述:

    MOSFET SWITCHING DEVICE

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多5LN01C-TB-E供应商 更新时间2025-7-24 17:54:00